M31 的先进内存解决方案提升了各平台的性能和效率，提供尖端的硅智财以支持高性能 SSD 和 NAND Flash 控制器。

引领未来，驱动创新

数字设备內存

内存在电子设备中扮演着数字信息储存和检索的重要角色，涵盖从智能型手机、计算机到游戏机等各种平台。内存电路类型包括静态随机存取内存（SRAM）、动态随机存取内存（DRAM）和闪存(Flash)

M31 的多样化内存组合

M31 提供多种内存编译程序和控制器的硅智财组合，旨在增强内存系统的性能和功能，并针对不同平台的特定应用需求量身设计。

高性能内存解决方案

M31提供针对固态硬盘（SSD）和NAND闪存控制器优化的尖端高速接口IP。这些硅智财产品经过精心设计，以提供卓越的性能、最小化功耗和优化面积利用，确保为高性能内存应用提供行业领先的解决方案。

关键优势

高效能

优化性能，从而缩短SRAM/ROM读写时间、提升数据传输速率。

低功耗

大幅度地降低功耗，延长移动装置、嵌入式闪存控制器 IC 的电池寿命。

小面积

最大限度地减少SRAM/ROM所需的面积，实现具成本效益的设计。

高可靠性

以严格的测试和验证程序为基础，提供高质量与可信赖度的内存应用IP。

M31 内存解决方案

CPU高速缓存
电动车用储存
CPU高速缓存

CPU高速缓存

M31提供基础的Single-port SRAM, Dual-port SRAM, 1-port Register file。更提供新一代支持2R2W的4端口静态随机读写缓存器(multi-bit Register file)， 各埠皆有独立的操作模式，且不互相干扰，更运用读写的屏蔽技术，确保操作时数据读写的稳定性，并兼顾CPU/NPU对于平行处理数据运算读写的需求。为了满足处理器内部大于兆频以上的超高频需求，已开发出boosted amplifier的架构。

电动车用储存

电动车用储存

电动车系统中，内建快速数据传输网络，将个传感器信息提供给中央计算机，M31的 PCIe4.0 PHY, USB3.2Gen2 PHY, Serdes能满足车用网络带宽需求，并提供MIPI M-PHY做数据快速储存的高速传输接口。此外，M31提供低功耗(Dual-Rail SRAM Compiler)与低电源(Low VDDMin SRAM Compiler)能有效应用于电源管理芯片中，提高车用电池储能管理效率。